格隆匯9月11日｜德國芯片制造商英飛凌(Infineon)公布，已開發(fā)全球首款12吋氮化鎵(GaN)晶圓技術(shù)，以滿足高耗能人工智能數(shù)據(jù)中心及電動車對功率半導體快速增長的需求。公司表示，首批予客戶的試用樣板將會在明年第四季推出，并指使用更大的氮化鎵晶圓進行芯片生產(chǎn)將更有效率。
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英飛凌開發(fā)全球首款12吋氮化鎵晶圓技術(shù)
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